(3 nm 두께, 300 mm 웨이퍼 직경) 실리콘 기판층 위에 성장된 이산화규소(SiO2) 박막층 두께 인증표준물질
(3 nm thick, 300 mm wafer dia) Certified reference material for the thickness of a thin film layer of silicon dioxide grown on silicon
- 표준물질코드
- 207-03-401
- 생산·공급기관
- 한국표준과학연구원
- 재고수량
- 0
- 판매가(VAT포함)
-
일시품절
- 형태/규격
- 박막층 두께 명목값 : 3 nm 웨이퍼 직경 : 300 nm
- 서비스유형
- 주문제조
- 표준물질 구분
- 인증표준물질
- 용도
- 인증값
- 3.42 nm
- 측정불확도
- 1.22 nm (신뢰수준 95 %, k = 2)
- 인증방법
- KRISS R-207-016 (2021)